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SSM6P35FE(TE85L,F)

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Numero di parte SSM6P35FE(TE85L,F)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
Scheda dati
pacchetto SOT-563, SOT-666
ECAD
A magazzino 32.976 piece(s)
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Specifiche SSM6P35FE(TE85L,F)

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchettoSOT-563, SOT-666
ECAD
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs8 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds12.2pF @ 3V
Potenza - Max150mW
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreES6 (1.6x1.6)

SSM6P35FE(TE85L,F) Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

SSM6P35FE(TE85L,F) FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SSM6P35FE(TE85L,F) is from the original manufacturer or authorized agents?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SSM6P35FE(TE85L,F)

D# SSM6P35FE(TE85LF)CT-ND

Toshiba America Electronic Components

MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6

63

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