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SSM6N35FE,LM

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Numero di parte SSM6N35FE,LM
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
Scheda dati
pacchetto SOT-563, SOT-666
ECAD
A magazzino 103.914 piece(s)
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Specifiche SSM6N35FE,LM

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchettoSOT-563, SOT-666
ECAD
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C180mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs3 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds9.5pF @ 3V
Potenza - Max150mW
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreES6 (1.6x1.6)

SSM6N35FE,LM Packaging

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Packing
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SSM6N35FE,LM FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SSM6N35FE,LM is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SSM6N35FE,LM. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SSM6N35FE,LM on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SSM6N35FE,LM products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# V72:2272_13898034

Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.18A 6-Pin ES T/R

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SSM6N35FELM

D# SSM6N35FE,LM

Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N 20V 0.18A 6-Pin SOT-563 - Tape and Reel (Alt: SSM6N35FE,LM)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SSM6N35FELM(T

D# SSM6N35FE,LM(T

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MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6

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RoHS: Compliant
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