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SSM6N17FU-TE85L-F

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Numero di parte SSM6N17FU-TE85L-F
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET 2N-CH 50V 0.1A US6
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche SSM6N17FU-TE85L-F

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto-
ECAD
Serie-
Tipo FETMOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET-
Drain to Source Voltage (Vdss)50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs20Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7pF @ 3V
Potenza - Max200mW (Ta)
temperatura di esercizio150°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreUS6

SSM6N17FU-TE85L-F Packaging

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Sealing
Packing
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SSM6N17FU-TE85L-F FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SSM6N17FU-TE85L-F is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SSM6N17FU-TE85L-F. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SSM6N17FU-TE85L-F on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SSM6N17FU-TE85L-F products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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  • 6. What is the process for return or replacement of SSM6N17FU-TE85L-F?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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