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SSM6K514NU,LF

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Numero di parte SSM6K514NU,LF
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE MOS
Scheda dati
pacchetto 6-WDFN Exposed Pad
ECAD
A magazzino 3.936 piece(s)
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Specifiche SSM6K514NU,LF

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto6-WDFN Exposed Pad
ECAD
SerieU-MOSIX-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1110pF @ 20V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs11.6 mOhm @ 4A, 10V
temperatura di esercizio150°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore6-UDFNB (2x2)
Pacchetto / caso6-WDFN Exposed Pad

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Packing
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SSM6K514NU,LF FAQ

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  • 3. Are the SSM6K514NU,LF price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SSM6K514NU,LF?
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