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SSM6J512NU,LF

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Numero di parte SSM6J512NU,LF
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B
Scheda dati
pacchetto 6-WDFN Exposed Pad
ECAD
A magazzino 29.202 piece(s)
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Specifiche SSM6J512NU,LF

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto6-WDFN Exposed Pad
ECAD
SerieU-MOSVII
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.8V, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1400pF @ 6V
Vgs (massimo)±10V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs16.2 mOhm @ 4A, 8V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore6-UDFNB (2x2)
Pacchetto / caso6-WDFN Exposed Pad

SSM6J512NU,LF Packaging

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Packing
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SSM6J512NU,LF FAQ

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  • 3. Are the SSM6J512NU,LF price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SSM6J512NU,LF?
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Trans MOSFET P-CH Si 12V 10A 6-Pin UDFN-B EP T/R

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Transistor MOSFET P-CH 12V 10A 6-Pin uDFN-B (Alt: SSM6J512NU,LF(T)

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 0
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MOSFET

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pbFree: Yes
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 386
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 2890
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MOSFET P-CH 12V 10A 6UDFNB

 1188
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D# 61AC2068

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SMALL-SIGNAL MOSFET PCH UDFN6B, VDSS=-12V, ID=-10A, RDSON: 0.0143OHM ROHS COMPLIANT: YES

RoHS: Compliant
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SSM6J512NU,LF(B

 Toshiba America Electronic Components

2312
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 Toshiba America Electronic Components

OEM/CM ONLY

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 Toshiba America Electronic Components

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MOSFET Small-signal MOSFET Vdss=-12V, Id=-10A

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 0

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MOSFET N-CHANNEL RDSON=.0142 OHM VDSS

pbFree: Pb-Free
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D# 30574453

 Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET P-CH Si 12V 10A 6-Pin UDFN-B EP T/R

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 0

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D# 30611613

 Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET P-CH Si 12V 10A 6-Pin UDFN EP T/R

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