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SSM6J507NU,LF

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Numero di parte SSM6J507NU,LF
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN
Scheda dati
pacchetto 6-WDFN Exposed Pad
ECAD
A magazzino 2.352 piece(s)
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Specifiche SSM6J507NU,LF

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto6-WDFN Exposed Pad
ECAD
SerieU-MOSVI
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1150pF @ 15V
Vgs (massimo)+20V, -25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs20 mOhm @ 4A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore6-UDFNB (2x2)
Pacchetto / caso6-WDFN Exposed Pad

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Packing
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SSM6J507NU,LF FAQ

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 201
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MOSFET Small Signal MOSFET V=30V, I-10A

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pbFree: Pb-Free
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Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 6-Pin UDFN EP T/R

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Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 6-Pin UDFN-B EP T/R

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