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SSM6J505NU,LF

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SSM6J505NU,LF

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Numero di parte SSM6J505NU,LF
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B
Scheda dati
pacchetto 6-WDFN Exposed Pad
ECAD
A magazzino 45.756 piece(s)
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Specifiche SSM6J505NU,LF

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto6-WDFN Exposed Pad
ECAD
SerieU-MOSVI
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs37.6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2700pF @ 10V
Vgs (massimo)±6V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs12 mOhm @ 4A, 4.5V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore6-UDFNB (2x2)
Pacchetto / caso6-WDFN Exposed Pad

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Packing
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SSM6J505NU,LF FAQ

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  • 3. Are the SSM6J505NU,LF price and inventory displayed accurate?
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Trans MOSFET P-CH Si 12V 12A 6-Pin UDFN-B EP T/R

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 8066
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MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -12A -12V 1200pF

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