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SSM6J503NU,LF(T

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Numero di parte SSM6J503NU,LF(T
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
Scheda dati
pacchetto 6-WDFN Exposed Pad
ECAD
A magazzino 4.048 piece(s)
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Specifiche SSM6J503NU,LF(T

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto6-WDFN Exposed Pad
ECAD
SerieU-MOSVI
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds840pF @ 10V
Vgs (massimo)±8V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs32.4 mOhm @ 3A, 4.5V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore6-UDFNB (2x2)
Pacchetto / caso6-WDFN Exposed Pad

SSM6J503NU,LF(T Packaging

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Packing
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SSM6J503NU,LF(T FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SSM6J503NU,LF(T is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SSM6J503NU,LF(T price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SSM6J503NU,LF(T?
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