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SSM6J207FE,LF

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Numero di parte SSM6J207FE,LF
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
Scheda dati
pacchetto SOT-563, SOT-666
ECAD
A magazzino 3.104 piece(s)
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Specifiche SSM6J207FE,LF

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSOT-563, SOT-666
ECAD
SerieU-MOSII
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds137pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs251 mOhm @ 650mA, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreES6 (1.6x1.6)
Pacchetto / casoSOT-563, SOT-666

SSM6J207FE,LF Packaging

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SSM6J207FE,LF FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SSM6J207FE,LF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SSM6J207FE,LF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SSM6J207FE,LF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SSM6J207FE,LF price and inventory displayed accurate?
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