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SSM6H19NU,LF

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Numero di parte SSM6H19NU,LF
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Scheda dati
pacchetto 6-UDFN Exposed Pad
ECAD
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Specifiche SSM6H19NU,LF

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto6-UDFN Exposed Pad
ECAD
SerieU-MOSVII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.8V, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.2nC @ 4.2V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds130pF @ 10V
Vgs (massimo)±12V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs185 mOhm @ 1A, 8V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore6-UDFN (2x2)
Pacchetto / caso6-UDFN Exposed Pad

SSM6H19NU,LF Packaging

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Packing
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SSM6H19NU,LF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SSM6H19NU,LF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SSM6H19NU,LF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SSM6H19NU,LF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SSM6H19NU,LF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SSM6H19NU,LF price and inventory displayed accurate?
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