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SSM3K36MFV,L3F

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Numero di parte SSM3K36MFV,L3F
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
Scheda dati
pacchetto SOT-723
ECAD
A magazzino 568.950 piece(s)
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Specifiche SSM3K36MFV,L3F

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSOT-723
ECAD
SerieU-MOSIII
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C500mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.5V, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.23nC @ 4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds46pF @ 10V
Vgs (massimo)±10V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs630 mOhm @ 200mA, 5V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreVESM
Pacchetto / casoSOT-723

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Sealing
Packing
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Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin VESM T/R

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Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin VESM Embossed T/R - Tape and Reel (Alt: SSM3K36MFV,L3F)

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Transistor MOSFET N-CH 20V 500mA 3-Pin SOT-723 (Alt: SSM3K36MFV,L3F(B)

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N-CHANNEL SMOS (Alt: SSM3K36MFV,L3F(T)

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N-CHANNEL SMOS (Alt: SSM3K36MFV,L3F(T)

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MOSFET

Min Qty: 25
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Toshiba America Electronic Components

MOSFET

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Min Qty: 25
Container: Cut Tape
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MOSFET Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52

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SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0.5A I(D), 20V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

7880
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