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SSM3K303T(TE85L,F)

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SSM3K303T(TE85L,F)

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte SSM3K303T(TE85L,F)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
Scheda dati
pacchetto TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
A magazzino 5.088 piece(s)
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Specifiche SSM3K303T(TE85L,F)

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Serie��-MOSVII
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.3nC @ 4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds180pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs83 mOhm @ 1.5A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTSM
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SSM3K303T(TE85L,F) Packaging

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Sealing
Packing
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SSM3K303T(TE85L,F) FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SSM3K303T(TE85L,F) is from the original manufacturer or authorized agents?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# SSM3K303T(TE85LF)TR-ND

Toshiba America Electronic Components

MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM

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