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SSM3J56ACT,L3F

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Numero di parte SSM3J56ACT,L3F
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Scheda dati
pacchetto SC-101, SOT-883
ECAD
A magazzino 4.288 piece(s)
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Specifiche SSM3J56ACT,L3F

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSC-101, SOT-883
ECAD
SerieU-MOSVI
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds100pF @ 10V
Vgs (massimo)±8V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs390 mOhm @ 800mA, 4.5V
temperatura di esercizio150°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreCST3
Pacchetto / casoSC-101, SOT-883

SSM3J56ACT,L3F Packaging

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Packing
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SSM3J56ACT,L3F FAQ

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