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SSM3J332R,LF

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Numero di parte SSM3J332R,LF
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P CH 30V 6A 2-3Z1A
Scheda dati
pacchetto SOT-23-3 Flat Leads
ECAD
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Specifiche SSM3J332R,LF

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSOT-23-3 Flat Leads
ECAD
SerieU-MOSVI
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.8V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds560pF @ 15V
Vgs (massimo)±12V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs42 mOhm @ 5A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23F
Pacchetto / casoSOT-23-3 Flat Leads

SSM3J332R,LF Packaging

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Packing
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SSM3J332R,LF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SSM3J332R,LF is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SSM3J332R,LF price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SSM3J332R,LF?
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    (1)Inform us within 90 days
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Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R

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P-Channel -30V 6A 1.2V @ 1mA 42mohms @ 5A,10V 1W SOT-23F MOSFET RoHS

 370
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MOSFET SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS

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P-Channel MOSFET, 6 A, 30 V, 3-Pin SOT-23F Toshiba SSM3J332R,LF(T, PK

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MOSFET SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS

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Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R

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