| Numero di parte | SPP80N06S2-H5 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-220-3 |
| ECAD |
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| A magazzino | 7.440 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-220-3 |
| ECAD |
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| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 230µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 155nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5500pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 80A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SPP80N06S2-H5 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SPP80N06S2-H5 D# SPP80N06S2-H5-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SPP80N06S2-H5 D# NS-SPP80N06S2-H5 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
6149 |
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