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SPB80N06S2L-H5

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SPB80N06S2L-H5

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Numero di parte SPB80N06S2L-H5
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Scheda dati

SPB80N06S2L-H5 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche SPB80N06S2L-H5

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 230µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs190nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6640pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5 mOhm @ 80A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263-3-2
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica SPB80N06S2L-H5

SPB80N06S2L-H5 Packaging

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SPB80N06S2L-H5 FAQ

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  • 3. Are the SPB80N06S2L-H5 price and inventory displayed accurate?
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