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SPB80N06S2L-11

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SPB80N06S2L-11

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Numero di parte SPB80N06S2L-11
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Scheda dati

SPB80N06S2L-11 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche SPB80N06S2L-11

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 93µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2650pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)158W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs11 mOhm @ 40A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263-3-2
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica SPB80N06S2L-11

SPB80N06S2L-11 Packaging

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Packing
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SPB80N06S2L-11 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SPB80N06S2L-11 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SPB80N06S2L-11. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SPB80N06S2L-11 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SPB80N06S2L-11 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SPB80N06S2L-11 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SPB80N06S2L-11?
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Infineon Technologies AG

Power Transistor, OptiMOS, 55V, 80A, 3-pin(2+tab) TO-263 - Bulk (Alt: SPB80N06S2L-11)

RoHS: Not Compliant
0
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Infineon Technologies AG

N/A 80 A, 55 V, 0.0147 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB PLASTIC, TO-263, 3 PIN

2000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SPB80N06S2L11

Infineon Technologies AG

Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0147ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

RoHS: Not Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SPB80N06S2L-11

D# 2156-SPB80N06S2L-11-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

2000
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OptlMOS, 80A, 55V, 0.0147ohm, N-Channel, Power MOSFET

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