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SPB42N03S2L-13 G

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Numero di parte SPB42N03S2L-13 G
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK
Scheda dati

SPB42N03S2L-13 G Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche SPB42N03S2L-13 G

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C42A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 37µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1130pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs12.6 mOhm @ 21A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263-3-2
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica SPB42N03S2L-13 G

SPB42N03S2L-13 G Packaging

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SPB42N03S2L-13 G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SPB42N03S2L-13 G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SPB42N03S2L-13 G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SPB42N03S2L-13 G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SPB42N03S2L-13 G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SPB42N03S2L-13 G price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SPB42N03S2L-13 G?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK

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MOSFET N-CH 30V 42A TO263-3

240

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