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SP8M2FU6TB

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Numero di parte SP8M2FU6TB
Produttore Rohm Semiconductor
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC
Scheda dati

SP8M2FU6TB Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SP8M2FU6TB

ProduttoreRohm Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Caratteristica FETStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs83 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.5nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds140pF @ 10V
Potenza - Max2W
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP

Scheda tecnica SP8M2FU6TB

SP8M2FU6TB Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

SP8M2FU6TB FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SP8M2FU6TB is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SP8M2FU6TB. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SP8M2FU6TB on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SP8M2FU6TB products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SP8M2FU6TB price and inventory displayed accurate?
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Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8-Pin SOP T/R (Alt: SP8M2FU6TB)

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ROHM Semiconductor

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MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC

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