Name: SIZ910DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZ910DT-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (73 reviews)

SIZ910DT-T1-GE3

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Numero di parte	SIZ910DT-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR
Scheda dati	SIZ910DT-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	8-PowerWDFN
ECAD
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Specifiche SIZ910DT-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	8-PowerWDFN
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 15V
Potenza - Max	48W, 100W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	8-PowerPair?

Scheda tecnica SIZ910DT-T1-GE3

SIZ910DT-T1-GE3 Packaging

SIZ910DT-T1-GE3 FAQ

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3. Are the SIZ910DT-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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