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SIZ900DT-T1-GE3

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Numero di parte SIZ900DT-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
Scheda dati

SIZ900DT-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto 6-PowerPair?
ECAD
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Specifiche SIZ900DT-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto6-PowerPair?
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C24A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.2 mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1830pF @ 15V
Potenza - Max48W, 100W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso6-PowerPair?
Pacchetto dispositivo fornitore6-PowerPair?

Scheda tecnica SIZ900DT-T1-GE3

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SIZ900DT-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SIZ900DT-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SIZ900DT-T1-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SIZ900DT-T1-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SIZ900DT-T1-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SIZ900DT-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SIZ900DT-T1-GE3?
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