| Numero di parte | SIHP25N50E-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 26A TO-220AB |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-220-3 |
| ECAD |
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| A magazzino | 14.544 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-220-3 |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 26A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1980pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145 mOhm @ 12A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
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4HF106250Z4BACXGI8 | IDT, Integrated Device Technology Inc, OSC MEMS 106.25MHZ LVDS SMD, 6-SMD, No Lead, - | Visualizza |
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105K500CS6-FA | Cornell Dubilier Electronics (CDE), CAP NETWORK 1UF 500V 16DIP, 16-DIP, - | Visualizza |
 
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LT3970EDDB-5#TRPBF | Linear Technology, IC REG BUCK 5V 535MA 10DFN, 10-WFDFN Exposed Pad, - | Visualizza |
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V551HB34 | Littelfuse Inc., VARISTOR 863.5V 40KA SQUARE 34MM, Square 34mm, Formed Tabs, - | Visualizza |
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RC5025F3323CS | Samsung, RESISTOR 2010 332KOHM 0.67W, -, - | Visualizza |
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MS27467T23F21AC | TE Connectivity Deutsch Connectors, CONN PLUG HSG MALE 21POS INLINE, -, - | Visualizza |
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AMM12DTAN | Sullins Connector Solutions, CONN EDGE DUAL FMALE 24POS 0.156, -, - | Visualizza |
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3261 | Pomona Electronics, PLG/RIVET .093 PANEL 10/PKG, -, - | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHP25N50E-GE3 D# V99:2348_09218759 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHP25N50E-GE3 D# SIHP25N50E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin TO-220AB - Tape and Reel (Alt: SIHP25N50E-GE3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHP25N50E-GE3 D# SIHP25N50E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin TO-220AB (Alt: SIHP25N50E-GE3) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHP25N50EGE3 |
Vishay Siliconix |
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHP25N50E-GE3 D# SIHP25N50E-GE3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB |
162 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHP25N50E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHP25N50EGE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
714 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHP25N50E-GE3 D# 78-SIHP25N50E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB RoHS: Compliant
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866 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHP25N50E-GE3 D# 1807350 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET N-CHANNEL 500V, TU Min Qty: 50
Container: Tube
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995 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHP25N50EGE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
1016 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHP25N50E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB pbFree: Pb-Free
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHP25N50E-GE3 D# 26574860 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB RoHS: Compliant
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0 |
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86-755-83210559-841
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