Name: SIHP12N65E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHP12N65E-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (129 reviews)

SIHP12N65E-GE3

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Numero di parte	SIHP12N65E-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 12A TO-220AB
Scheda dati	SIHP12N65E-GE3 Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
A magazzino	6.240 piece(s)
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Specifiche SIHP12N65E-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1224pF @ 100V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 6A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3

Scheda tecnica SIHP12N65E-GE3

SIHP12N65E-GE3 Packaging

SIHP12N65E-GE3 FAQ

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3. Are the SIHP12N65E-GE3 price and inventory displayed accurate?

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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SIHP12N65E-GE3

D# V36:1790_09218761

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

RoHS: Compliant

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SIHP12N65E-GE3

D# SIHP12N65E-GE3

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Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin TO-220AB - Tape and Reel (Alt: SIHP12N65E-GE3)

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Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin TO-220AB (Alt: SIHP12N65E-GE3)

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Vishay Semiconductors

MOSFETS - Tape and Reel

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MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB

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MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB

RoHS: Compliant

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Vishay Intertechnologies

OEM/CM ONLY

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