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SIHP11N80E-GE3

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SIHP11N80E-GE3

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Numero di parte SIHP11N80E-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CHAN 850V TO-220AB
Scheda dati

SIHP11N80E-GE3 Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche SIHP11N80E-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieE
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs88nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1670pF @ 100V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)179W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs440 mOhm @ 5.5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica SIHP11N80E-GE3

SIHP11N80E-GE3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

SIHP11N80E-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SIHP11N80E-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SIHP11N80E-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SIHP11N80E-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SIHP11N80E-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SIHP11N80E-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    Warm Tips: Some orders in certain payment forms may require handling fee.
  • 5. How is the shipping arranged?
    Customers can choose industry-leading freight companies, including DHL, UPS, FedEx, TNT, and Registered Mail. Shipping insurance is also available.
    Once your order has been processed for shipment, our salesperson will send you an email advising you of the shipping status and tracking number.
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  • 6. What is the process for return or replacement of SIHP11N80E-GE3?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SIHP11N80E-GE3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SIHP11N80E-GE3 only when all of the below conditions are fulfilled:
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
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Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin TO-220AB - Tape and Reel (Alt: SIHP11N80E-GE3)

0
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Transistor MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin TO-220AB (Alt: SIHP11N80E-GE3)

RoHS: Compliant
0
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Vishay Intertechnologies

N-Channel 800V 12A(Tc) 4V @ 250uA 440mohms @ 5.5A,10V 179W(Tc) TO-220AB MOSFET RoHS

6
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D# SIHP11N80E-GE3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB

17
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D# 2772345

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MOSFET, N-CH, 800V, 12A, TO-220AB

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Vishay Intertechnologies

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

1182
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D# C467936

Vishay Intertechnologies

6
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 78-SIHP11N80E-GE3

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MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220AB

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AVAILABLE Q2/2016

1000
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SIHP11N80E-GE3

D# 28AC2105

Vishay Intertechnologies

MOSFET, N-CH, 800V, 12A, TO-220AB, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:12A, Drain Source Voltage Vds:800V, On Resistance Rds(on):0.38ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, Power RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
0
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Vishay Intertechnologies

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1088
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