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SIHP065N60E-GE3

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Numero di parte SIHP065N60E-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB
Scheda dati

SIHP065N60E-GE3 Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche SIHP065N60E-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieE
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C40A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs98nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2700pF @ 100V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs65 mOhm @ 16A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica SIHP065N60E-GE3

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SIHP065N60E-GE3 FAQ

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  • 3. Are the SIHP065N60E-GE3 price and inventory displayed accurate?
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Transistor MOSFET N-CH 600V 40A 3-Pin TO-220AB - Tape and Reel (Alt: SIHP065N60E-GE3)

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MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB

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N-Channel MOSFET, 40 A, 600 V, 3 + Tab-Pin TO-220AB Vishay SIHP065N60E-GE3, TU

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