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| Numero di parte | SIHJ8N60E-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V POWERPAK SO-8L |
| Scheda dati | |
| pacchetto | PowerPAK? SO-8 |
| ECAD |
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| A magazzino | 4.512 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | gen 29 - feb 3 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | PowerPAK? SO-8 |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 754pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520 mOhm @ 4A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK? SO-8 |
| Pacchetto / caso | PowerPAK? SO-8 |
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ABM10W-27.0000MHZ-8-J2Z-T3 | Abracon LLC, CRYSTAL 27.0MHZ 8PF SMT, 4-SMD, No Lead, - | Visualizza |
 
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TL2845BDR-8 | Texas Instruments, IC REG CTRLR MULT TOPOLOGY 8SOIC, 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), - | Visualizza |
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59075-4-U-02-A | Littelfuse Inc., SENSOR REED SW SPST-NC W LEADS, Cylinder, Threaded, - | Visualizza |
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MLX90333LDC-BCH-100-SP | Melexis Technologies NV, SENSOR LINEAR SPI 8SOIC, 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), - | Visualizza |
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JM1AN-TMP-DC12V | Panasonic Electric Works, RELAY GEN PURPOSE SPST 20A 12V, -, - | Visualizza |
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OD220J | Ohmite, RES 22 OHM 1/4W 5% AXIAL, Axial, - | Visualizza |
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RWR71SR511FRBSL | Vishay Dale, RES 0.511 OHM 2W 1% WW AXIAL, Axial, - | Visualizza |
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EHT-110-01-F-D-SM-LC-01-K | Samtec Inc., 2MM EJECTOR HEADER, -, - | Visualizza |
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FTSH-132-04-F-DV | Samtec Inc., .050'' X .050 TERMINAL STRIP, -, - | Visualizza |
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FW-09-05-G-D-500-120 | Samtec Inc., .050'' BOARD SPACERS, -, - | Visualizza |
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1218441-2 | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine, CONN D-SUB PLUG 15POS R/A SOLDER, -, - | Visualizza |
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74ABT16541CMTD | ON Semiconductor, IC BUF NON-INVERT 5.5V 48TSSOP, 48-TFSOP (0.240", 6.10mm Width), - | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHJ8N60E-T1-GE3 D# V36:1790_14140853 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHJ8N60E-T1-GE3 D# SIHJ8N60E-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 5-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SIHJ8N60E-T1-GE3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHJ8N60E-T1-GE3 D# SIHJ8N60E-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 5-Pin PowerPAK SO T/R (Alt: SIHJ8N60E-T1-GE3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHJ8N60E-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies | 2680 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHJ8N60ET1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Power Field-Effect Transistor RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHJ8N60E-T1-GE3 D# SIHJ8N60E-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 600V 8A PPAK SO-8 |
2990 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHJ8N60E-T1-GE3 D# 2630944RL |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N-CH, 600V, 8A, POWERPAKSO RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHJ8N60E-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHJ8N60ET1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
3570 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHJ8N60E-T1-GE3 D# 78-SIHJ8N60E-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L RoHS: Compliant
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2800 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHJ8N60E-T1-GE3 D# 01AC4967 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N-CH, 600V, 8A, POWERPAKSO, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:8A, Drain Source Voltage Vds:600V, On Resistance Rds(on):0.45ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2V, Power RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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2909 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHJ8N60ET1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
3016 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHJ8N60E-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L pbFree: Pb-Free
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0 |
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86-755-83210559-843
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