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SIHG33N65E-GE3

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Numero di parte SIHG33N65E-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC
Scheda dati

SIHG33N65E-GE3 Scheda dati

pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche SIHG33N65E-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C32.4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs173nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4040pF @ 100V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)313W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs105 mOhm @ 16.5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AC
Pacchetto / casoTO-247-3

Scheda tecnica SIHG33N65E-GE3

SIHG33N65E-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

SIHG33N65E-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SIHG33N65E-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SIHG33N65E-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SIHG33N65E-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SIHG33N65E-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SIHG33N65E-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    Warm Tips: Some orders in certain payment forms may require handling fee.
  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SIHG33N65E-GE3?
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    (1)Inform us within 90 days
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SIHG33N65E-GE3

D# V36:1790_14664699

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 650V 32.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SIHG33N65E-GE3

D# SIHG33N65E-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 650V 32.4A 3-Pin TO-247AC - Tape and Reel (Alt: SIHG33N65E-GE3)

RoHS: Not Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SIHG33N65E-GE3

D# SIHG33N65E-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 650V 32.4A 3-Pin TO-247AC (Alt: SIHG33N65E-GE3)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SIHG33N65EGE3

Vishay Intertechnologies

Power Field-Effect Transistor, 32.4A I(D), 650V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SIHG33N65E-GE3

D# SIHG33N65E-GE3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC

843
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SIHG33N65E-GE3

D# 2576519

Vishay Intertechnologies

MOSFET, N-CH, 650V, 32.4A, TO-247AC-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
4
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SIHG33N65E-GE3

Vishay Intertechnologies

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SIHG33N65EGE3

VISHAY SILICONIX

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

1003
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SIHG33N65E-GE3

D# 01AC4958

Vishay Intertechnologies

MOSFET, N-CH, 650V, 32.4A, TO-247AC-3, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:32.4A, Drain Source Voltage Vds:650V, On Resistance Rds(on):0.09ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, Power RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
4
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SIHG33N65EGE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM ONLY

516
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SIHG33N65E-GE3

D# 2576519

Vishay Intertechnologies

MOSFET, N-CH, 650V, 32.4A, TO-247AC-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
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4

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