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SIHG33N60E-GE3

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SIHG33N60E-GE3

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Numero di parte SIHG33N60E-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC
Scheda dati

SIHG33N60E-GE3 Scheda dati
pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche SIHG33N60E-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C33A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs150nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3508pF @ 100V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs99 mOhm @ 16.5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AC
Pacchetto / casoTO-247-3

Scheda tecnica SIHG33N60E-GE3

SIHG33N60E-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that SIHG33N60E-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SIHG33N60E-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SIHG33N60E-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SIHG33N60E-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SIHG33N60E-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    Warm Tips: Some orders in certain payment forms may require handling fee.
  • 5. How is the shipping arranged?
    Customers can choose industry-leading freight companies, including DHL, UPS, FedEx, TNT, and Registered Mail. Shipping insurance is also available.
    Once your order has been processed for shipment, our salesperson will send you an email advising you of the shipping status and tracking number.
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  • 6. What is the process for return or replacement of SIHG33N60E-GE3?
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Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC

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Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin TO-247AC - Tape and Reel (Alt: SIHG33N60E-GE3)

 0
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Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin TO-247AC (Alt: SIHG33N60E-GE3)

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500
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 Vishay Siliconix

MOSFET, N CH, 600V, 33A, TO-247AC

 323
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 Vishay Intertechnologies

Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC

RoHS: Compliant
 0
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D# SIHG33N60E-GE3-ND

 Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC

 394
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MOSFET, N CH, 600V, 33A, TO-247AC

RoHS: Compliant
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SiHG33N60E Series ±30 V 33 A 278 W Through Hole Power Mosfet - TO-247AC

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
 797
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MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC

RoHS: Compliant
 12
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 Vishay Siliconix

E-Series N-Channel 600 V 278 W 99 mO 150 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC

 1000
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SIHG33N60E-GE3

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MOSFET, N CHANNEL, 600V, 33A, TO-247AC-3, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:600V, Continuous Drain Current Id:33A, On Resistance Rds(on):0.083ohm, Transistor Mounting:Through Hole, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 500
Container: Cut Tape
 0
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MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC

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MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC

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