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SIHG28N65EF-GE3

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Numero di parte SIHG28N65EF-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 650V 28A TO-247AC
Scheda dati

SIHG28N65EF-GE3 Scheda dati

pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche SIHG28N65EF-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C28A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs146nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3249pF @ 100V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs117 mOhm @ 14A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AC
Pacchetto / casoTO-247-3

Scheda tecnica SIHG28N65EF-GE3

SIHG28N65EF-GE3 Packaging

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Packing
Insepction

SIHG28N65EF-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SIHG28N65EF-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SIHG28N65EF-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SIHG28N65EF-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SIHG28N65EF-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SIHG28N65EF-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SIHG28N65EF-GE3?
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