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| Numero di parte | SIHB33N60EF-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 33A TO-263 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| A magazzino | 26.190 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | nov 29 - dic 4 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 33A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 155nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3454pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 278W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98 mOhm @ 16.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK (TO-263) |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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T38335-03-0 | Curtis Industries, CONN BARRIER STRIP 3CIRC 0.375", -, - | Visualizza |
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RE-3.305S | Recom Power, CONV DC/DC 1W 3.3VIN 05VOUT, 7-SIP Module, 4 Leads, - | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB33N60EF-GE3 D# SIHB33N60EF-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin D2PAK - Tape and Reel (Alt: SIHB33N60EF-GE3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB33N60EF-GE3 D# SIHB33N60EF-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin D2PAK (Alt: SIHB33N60EF-GE3) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB33N60EF-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
N-Channel 600V 33A(Tc) 4V @ 250uA 98mohms @ 16.5A,10V 278W(Tc) D2PAK(TO-263) MOSFET RoHS |
6 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB33N60EF-GE3 D# SIHB33N60EF-GE3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK |
1730 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB33N60EF-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
In stock shipping within 2days |
400 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB33N60EF-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
600V, 33A, 98MOHM, D2PAK, EF SERIES RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB33N60EFGE3 |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
23800 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB33N60EF-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
SIHB33N60EFGE3 |
1000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB33N60EF-GE3 D# C467926 |
Vishay Intertechnologies | 6 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB33N60EF-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
88000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB33N60EF-GE3 D# 78-SIHB33N60EF-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) RoHS: Compliant
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990 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB33N60EFGE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
1016 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB33N60EF-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
87985 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB33N60EF-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) pbFree: Pb-Free
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0 |
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86-755-83210559-843
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