Name: SIHB33N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB33N60E-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (75 reviews)

SIHB33N60E-GE3

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Numero di parte	SIHB33N60E-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
Scheda dati	SIHB33N60E-GE3 Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche SIHB33N60E-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	33A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	150nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3508pF @ 100V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	99 mOhm @ 16.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica SIHB33N60E-GE3

SIHB33N60E-GE3 Packaging

SIHB33N60E-GE3 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that SIHB33N60E-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?

We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SIHB33N60E-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SIHB33N60E-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SIHB33N60E-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
3. Are the SIHB33N60E-GE3 price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SIHB33N60E-GE3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SIHB33N60E-GE3 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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SIHB33N60E-GE3

D# V99:2348_09218863

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SIHB33N60E-GE3

D# SIHB33N60E-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin D2PAK - Tape and Reel (Alt: SIHB33N60E-GE3)

RoHS: Compliant

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SIHB33N60E-GE3

D# SIHB33N60E-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin D2PAK (Alt: SIHB33N60E-GE3)

RoHS: Compliant

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SIHB33N60E-GE3

D# SIHB33N60E-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin D2PAK (Alt: SIHB33N60E-GE3)

RoHS: Compliant

Numero di parte

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Vishay Siliconix

MOSFET, N CH, 600V, 33A, TO-263-3

2479

Numero di parte

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SIHB33N60E-GE3

D# SIHB33N60E-GE3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK

6990

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SIHB33N60E-GE3

D# 2364072

Vishay Intertechnologies

MOSFET, N-CH, 600V, 33A, D2PAK

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2156

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Vishay Intertechnologies

RoHS: Compliant

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7828

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SIHB33N60E-GE3

D# 78-SIHB33N60E-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

RoHS: Compliant

3704

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SIHB33N60E-GE3

D# 19X1931

Vishay Intertechnologies

Power MOSFET, N Channel, 33 A, 600 V, 0.083 ohm, 10 V, 2 V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

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2154

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Vishay Intertechnologies

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Vishay Huntington

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SIHB33N60E-GE3

D# 33725812

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SIHB33N60E-GE3

Vishay Huntington

MOSFET N-CH 600V 33A TO-263

1684

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D# 2364072

Vishay Intertechnologies

MOSFET, N-CH, 600V, 33A, D2PAK

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

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