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SIHB22N60E-GE3

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SIHB22N60E-GE3

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Numero di parte SIHB22N60E-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Scheda dati

SIHB22N60E-GE3 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche SIHB22N60E-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C21A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs86nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1920pF @ 100V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs180 mOhm @ 11A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica SIHB22N60E-GE3

SIHB22N60E-GE3 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that SIHB22N60E-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SIHB22N60E-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SIHB22N60E-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SIHB22N60E-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SIHB22N60E-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    Warm Tips: Some orders in certain payment forms may require handling fee.
  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SIHB22N60E-GE3?
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    (1)Inform us within 90 days
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Bulk (Alt: 83T7333)

0
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Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK (Alt: SIHB22N60E-GE3)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Vishay Semiconductors

N-CHANNEL 600V

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SIHB22N60EGE3

Vishay Siliconix

Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SIHB22N60E-GE3

D# SIHB22N60E-GE3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

6835
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147
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D# 2079772

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MOSFET, N CH, 600V, 21A, D2PAK

RoHS: Compliant
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998
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RoHS: Compliant
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2500
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MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

RoHS: Compliant
8433
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D# XSFP00000099157

Vishay Siliconix

E-Series N-Channel 600 V 227 W 0.18 O 86 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK

2000
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SIHB22N60E-GE3

D# 79AH6480

Vishay Intertechnologies

N-CHANNEL 600V

RoHS: Not Compliant
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N-Channel MOSFET, 21 A, 600 V, 3-Pin D2PAK Vishay SIHB22N60E-GE3, TU

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1765
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MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

300
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