| Numero di parte | SIHB12N65E-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| A magazzino | 6.192 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1224pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 6A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK (TO-263) |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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0603Y0630680KAT | Knowles Syfer, CAP CER 0603, -, - | Visualizza |
 
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VT3060C-E3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division, DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO-220AB, TO-220-3, - | Visualizza |
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SN74LV123AD | Texas Instruments, IC DUAL RETRIG MULTIVIB 16-SOIC, 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), - | Visualizza |
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MB90387SPMT-GS-277E1 | Cypress Semiconductor Corp, IC MCU 16BIT 64KB MROM 48LQFP, 48-LQFP, - | Visualizza |
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MF-LS300 | Bourns Inc., FUSE PTC RESET SMD, Strap, - | Visualizza |
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RNC50J2002BSR36 | Vishay Dale, RES 20K OHM 1/10W .1% AXIAL, Axial, - | Visualizza |
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ALSR0527R00FE12 | Vishay Dale, RES 27 OHM 5W 1% AXIAL, Axial, - | Visualizza |
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RT1210CRE07255KL | Yageo, RES SMD 255K OHM 0.25% 1/4W 1210, 1210 (3225 Metric), - | Visualizza |
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AC2010JK-0733RL | Yageo, RES SMD 33 OHM 5% 3/4W 2010, 2010 (5025 Metric), - | Visualizza |
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ST5EW204 | Copal Electronics Inc., TRIMMER 200K OHM 0.25W SMD, -, - | Visualizza |
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325115-17-0 | Curtis Industries, CONN BARRIER STRP 17CIRC 0.325", -, - | Visualizza |
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DW-43-19-F-S-1015 | Samtec Inc., .025" BOARD SPACERS, -, - | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB12N65E-GE3 D# V36:1790_09219044 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB12N65E-GE3 D# SIHB12N65E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin D2PAK - Tape and Reel (Alt: SIHB12N65E-GE3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB12N65E-GE3 D# SIHB12N65E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin D2PAK (Alt: SIHB12N65E-GE3) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB12N65E-GE3 |
Vishay Semiconductors |
MOSFETS - Tape and Reel |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB12N65E-GE3 D# SIHB12N65E-GE3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB12N65E-GE3 D# 2400357 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N CH, 650V, 12A, TO-263-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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78 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB12N65E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
E Series N-Channel 650 V 380 mΩ 35 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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800 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB12N65EGE3 |
VISHAY SILICONIX |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
3433 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB12N65E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
140 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB12N65E-GE3 D# 78-SIHB12N65E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) RoHS: Compliant
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948 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB12N65E-GE3 D# XSFT00000047816 |
Vishay Siliconix |
E Series N-Channel 650 V 380 mO 35 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK |
600 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB12N65E-GE3 D# 40X8669 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET Transistor, N Channel, 12 A, 650 V, 0.33 ohm, 10 V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
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78 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB12N65EGE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
66 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB12N65E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
135 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB12N65E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) pbFree: Pb-Free
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB12N65E-GE3 D# 38405275 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK RoHS: Compliant
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0 |
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86-755-83210559-843
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