Name: SIE836DF-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIE836DF-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (163 reviews)

SIE836DF-T1-E3

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Numero di parte	SIE836DF-T1-E3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
Scheda dati	SIE836DF-T1-E3 Scheda dati
pacchetto	10-PolarPAK? (SH)
ECAD
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Specifiche SIE836DF-T1-E3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	10-PolarPAK? (SH)
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	18.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1200pF @ 100V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	5.2W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 4.1A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	10-PolarPAK? (SH)
Pacchetto / caso	10-PolarPAK? (SH)

Scheda tecnica SIE836DF-T1-E3

SIE836DF-T1-E3 Packaging

SIE836DF-T1-E3 FAQ

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3. Are the SIE836DF-T1-E3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# SIE836DF-T1-E3-ND

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