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| Numero di parte | SIA911EDJ-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | PowerPAK? SC-70-6 Dual |
| ECAD |
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| A magazzino | 24.000 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array |
| pacchetto | PowerPAK? SC-70-6 Dual |
| ECAD |
|
| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 101 mOhm @ 2.7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 7.8W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | PowerPAK? SC-70-6 Dual |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK? SC-70-6 Dual |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIA911EDJ-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIA911EDJ-T1-GE3 D# SIA911EDJ-T1-GE3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIA911EDJ-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
In stock shipping within 2days |
2000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIA911EDJ-T1-GE3 D# NS-SIA911EDJ-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
4386 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIA911EDJ-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
21 |
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86-755-83210559-827
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