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SIA778DJ-T1-GE3

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SIA778DJ-T1-GE3

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Numero di parte SIA778DJ-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
Scheda dati

SIA778DJ-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto PowerPAK? SC-70-6 Dual
ECAD
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Specifiche SIA778DJ-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchettoPowerPAK? SC-70-6 Dual
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)12V, 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.5A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs29 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds500pF @ 6V
Potenza - Max6.5W, 5W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoPowerPAK? SC-70-6 Dual
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK? SC-70-6 Dual

Scheda tecnica SIA778DJ-T1-GE3

SIA778DJ-T1-GE3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

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  • 2. How does Heisener guarantee that SIA778DJ-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SIA778DJ-T1-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SIA778DJ-T1-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SIA778DJ-T1-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SIA778DJ-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SIA778DJ-T1-GE3?
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6

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MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6

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