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SI9945BDY-T1-GE3

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SI9945BDY-T1-GE3

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Numero di parte SI9945BDY-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
Scheda dati

SI9945BDY-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI9945BDY-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs58 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds665pF @ 15V
Potenza - Max3.1W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

Scheda tecnica SI9945BDY-T1-GE3

SI9945BDY-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI9945BDY-T1-GE3 FAQ

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  • 3. Are the SI9945BDY-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9945BDY-T1-GE3

D# 70026454

Vishay Siliconix

MOSFET, Dual N-Ch, Vds 60V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 46mohm, Id 5.3, SO-8, Pd 3.1W

RoHS: Not Compliant
764
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9945BDY-T1-GE3

D# V72:2272_09216529

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9945BDY-T1-GE3

D# SI9945BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC T/R - Tape and Reel (Alt: SI9945BDY-T1-GE3)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9945BDY-T1-GE3

D# SI9945BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC T/R (Alt: SI9945BDY-T1-GE3)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9945BDY-T1-GE3

D# SI9945BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC T/R (Alt: SI9945BDY-T1-GE3)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9945BDY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

- Tape and Reel

71000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9945BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

60V,5.3A,Dual N-Channel MOSFET

90
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9945BDYT1GE3

Vishay Intertechnologies

Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9945BDY-T1-GE3

D# SI9945BDY-T1-GE3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9945BDY-T1-GE3

D# 1794822RL

Vishay Intertechnologies

MOSFET, NN CH, 60V, 5.3A, 8SOIC

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9945BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

NEW AND ORGINAL. ISRAEL W.HOUSE

1881
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9945BDYT1GE3

VISHAY SILICONIX

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

92225
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9945BDY-T1-GE3

D# C435838

Vishay Intertechnologies

5144
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9945BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

in stock - can ship the same day

1991
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9945BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM Immediate delivery

180000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9945BDY-T1-GE3

D# XSFP00000015511

Vishay Siliconix

SI9945BDY Series 60V 0.058 Ohm 20nC Dual N-Channel Surface Mount Mosfet - SOIC-8

70000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9945BDY-T1-GE3

D# 72R4255

Vishay Intertechnologies

MOSFET, DUAL N CH, 60V, 5.3A, SOIC-8, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:5.3A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):46mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
1093

SI9945BDY-T1-GE3.

D# 26AC3355

Vishay Intertechnologies

MOSFET, DUAL N CHANNEL, 60V, 5.3A, SOIC-8, FULL REEL, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:60V, Continuous Drain Current Id:5.3A, On Resistance Rds(on):0.046ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, No. of Pins:8PinsRoHS Compliant: No

RoHS: Not Compliant
Min Qty: 2500
Container: TAPE & REEL - FULL
25000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9945BDY-T1-GE3

D# NS-SI9945BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

10024
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9945BDY-T1-GE3

D# 7878995P

Vishay Intertechnologies

Dual N-Channel MOSFET, 5.3 A, 60 V, 8-Pin SOIC Vishay SI9945BDY-T1-GE3, RL

Min Qty: 10
Container: Reel
7460
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9945BDYT1GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM ONLY

16990
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9945BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

IN stock Immediate delivery

179985
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9945BDY-T1-GE3

Vishay Huntington

266
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9945BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8

pbFree: Pb-Free
0

SI9945BDY-T1-GE3.

Vishay Intertechnologies

MOSFET 60V N-CHANNEL DUAL

pbFree: Pb-Free
0
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Maxim Integrated Products

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9945BDY-T1-GE3

D# 39173502

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9945BDY-T1-GE3

Vishay Huntington

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

8667
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9945BDY-T1-GE3

D# 1794822RL

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MOSFET, NN CH, 60V, 5.3A, 8SOIC

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