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SI9934BDY-T1-GE3

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Numero di parte SI9934BDY-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC
Scheda dati

SI9934BDY-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI9934BDY-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs35 mOhm @ 6.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.1W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

Scheda tecnica SI9934BDY-T1-GE3

SI9934BDY-T1-GE3 Packaging

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Packing
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