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SI9933CDY-T1-GE3

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SI9933CDY-T1-GE3

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte SI9933CDY-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
Scheda dati

SI9933CDY-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI9933CDY-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs58 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds665pF @ 10V
Potenza - Max3.1W
temperatura di esercizio-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

Scheda tecnica SI9933CDY-T1-GE3

SI9933CDY-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

SI9933CDY-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI9933CDY-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI9933CDY-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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SI9933CDY-T1-GE3 garanzie

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9933CDY-T1-GE3

D# 70026453

Vishay Siliconix

MOSFET, Dual P-CH, Vds 20V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 48mohm, Id 4A, SO8, Pd 3.1W

RoHS: Not Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9933CDY-T1-GE3

D# V72:2272_09216527

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9933CDY-T1-GE3

D# SI9933CDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET Array Dual P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI9933CDY-T1-GE3)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9933CDY-T1-GE3

D# SI9933CDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC (Alt: SI9933CDY-T1-GE3)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9933CDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

169
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9933CDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Dual P-Channel 20 V 0.058 Ohm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8

55000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9933CDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

DualP-Channel -20V 4A 1.4V @ 250uA 58mohms @ 4.8A,4.5V 3.1W SOIC-8_150mil MOSFET RoHS

366
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9933CDYT1GE3

Vishay Intertechnologies

Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9933CDY-T1-GE3

D# SI9933CDY-T1-GE3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

37613
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9933CDY-T1-GE3

D# 1779275

Vishay Intertechnologies

MOSFET, PP-CH, 20V, 4A, SO8

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
2668
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Vishay Aztronic

NEW AND ORGINAL. ISRAEL W.HOUSE

2006
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9933CDYT1GE3

VISHAY SILICONIX

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

53550
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9933CDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

22358
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9933CDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM Immediate delivery

180000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9933CDY-T1-GE3

D# 781-SI9933CDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET -20V Vds 12V Vgs SO-8

RoHS: Compliant
18933
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9933CDY-T1-GE3

D# XSKDRABV0026511

Vishay Intertechnologies

25000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9933CDY-T1-GE3

D# 55R1932

Vishay Intertechnologies

MOSFET, PP-CH, 20V, 4A, SO8, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:-20V, On Resistance Rds(on):48mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V, Threshold Voltage Vgs Typ:-1.4V, Power Dissipation Pd:3.1W, Operating RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
2239

SI9933CDY-T1-GE3.

D# 26AC3354

Vishay Intertechnologies

MOSFET, P CHANNEL, -20V, -4A, SOIC-8, FULL REEL, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:4A, On Resistance Rds(on):0.075ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, No. of Pins:8Pins RoHS Compliant: No

RoHS: Not Compliant
Min Qty: 2500
Container: TAPE & REEL - FULL
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9933CDY-T1-GE3

D# NS-SI9933CDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

27527
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9933CDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

334
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9933CDY-T1-GE3

D# 7103395

Vishay Intertechnologies

Dual P-Channel MOSFET, 4 A, 20 V, 8-Pin SOIC Vishay SI9933CDY-T1-GE3, PK

Min Qty: 5
Container: Package
160
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9933CDYT1GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

5016
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9933CDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

IN stock Immediate delivery

179985
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9933CDY-T1-GE3.

Vishay Intertechnologies

MOSFET 20V 4.0A 3.1W 58mohm @ 4.5V

pbFree: Pb-Free
0

SI9933CDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET -20V Vds 12V Vgs SO-8

pbFree: Pb-Free
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9933CDY-T1-GE3

Maxim Integrated Products

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2496
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9933CDY-T1-GE3

Vishay Huntington

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

7899
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9933CDY-T1-GE3

D# 1779275

Vishay Intertechnologies

MOSFET, PP-CH, 20V, 4A, SO8

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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