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SI9926BDY-T1-E3

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SI9926BDY-T1-E3

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Numero di parte SI9926BDY-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
Scheda dati

SI9926BDY-T1-E3 Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI9926BDY-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs20 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.14W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

Scheda tecnica SI9926BDY-T1-E3

SI9926BDY-T1-E3 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that SI9926BDY-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI9926BDY-T1-E3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI9926BDY-T1-E3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI9926BDY-T1-E3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI9926BDY-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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D# 70026129

Vishay Siliconix

MOSFET, Dual, N-Channel, 20V, 8.2A, 2W, SO-8

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0
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Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant
0
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MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

0
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6200 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

1484
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