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SI9424BDY-T1-E3

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SI9424BDY-T1-E3

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Numero di parte SI9424BDY-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
Scheda dati
pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI9424BDY-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)±9V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SI9424BDY-T1-E3 Packaging

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Packing
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SI9424BDY-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI9424BDY-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI9424BDY-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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Single P-Channel 20 V 0.025 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8

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Small Signal Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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