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SI9407BDY-T1-GE3

hot SI9407BDY-T1-GE3

SI9407BDY-T1-GE3

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Numero di parte SI9407BDY-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC
Scheda dati

SI9407BDY-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI9407BDY-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds600pF @ 30V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.4W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs120 mOhm @ 3.2A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica SI9407BDY-T1-GE3

SI9407BDY-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9407BDY-T1-GE3

D# 70026452

Vishay Siliconix

MOSFET, P-Ch, Vds -60V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 150mohm, Id 4.7A, SO-8, Pd 5W

RoHS: Not Compliant
1990
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9407BDY-T1-GE3

D# V72:2272_09216516

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9407BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin SOIC N T/R - Product that comes on tape, but is not reeled

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9407BDY-T1-GE3

D# SI9407BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI9407BDY-T1-GE3)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9407BDY-T1-GE3

D# SI9407BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI9407BDY-T1-GE3)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9407BDY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

- Tape and Reel

6200
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9407BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

P-Channel 60V 4.7A 3V @ 250uA 120mohms @ 3.2A,10V 2.4W SOIC-8_150mil MOSFET RoHS

3368
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9407BDY-T1-GE3

D# SI9407BDY-T1-GE3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO

5
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9407BDY-T1-GE3

D# 2101454RL

Vishay Intertechnologies

MOSFET, P CH, 60V, 4.7A, 8SOIC

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9407BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Single P-Channel 60 V 2.4 W 22 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9407BDYT1GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

113050
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9407BDY-T1-GE3

D# C141567

Vishay Intertechnologies

3368
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9407BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM Immediate delivery

850000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9407BDY-T1-GE3

D# 781-SI9407BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8

RoHS: Compliant
1010
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9407BDY-T1-GE3

D# XSKDRABV0043842

Vishay Intertechnologies

34539
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9407BDY-T1-GE3

D# 16P3885

Vishay Intertechnologies

P CHANNEL MOSFET, -60V, 4.7A, SOIC, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:4.7A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):0.1ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Product Range:- RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
3292

SI9407BDY-T1-GE3.

D# 26AC3352

Vishay Intertechnologies

MOSFET, P CHANNEL, -60V, -4.7A, SOIC-8, FULL REEL, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:60V, Continuous Drain Current Id:4.7A, On Resistance Rds(on):0.1ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, No. of Pins:8Pins RoHS Compliant: No

RoHS: Not Compliant
Min Qty: 2500
Container: TAPE & REEL - FULL
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9407BDY-T1-GE3

D# NS-SI9407BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

25026
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9407BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

4700 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA

80
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9407BDY-T1-GE3

D# 8181444P

Vishay Intertechnologies

P-Channel MOSFET, 3.8 A, 60 V, 8-Pin SOIC Vishay SI9407BDY-T1-GE3, RL

Min Qty: 20
Container: Reel
260
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9407BDYT1GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

2754
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9407BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

IN stock Immediate delivery

849985
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9407BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8

pbFree: Pb-Free
0

SI9407BDY-T1-GE3.

Vishay Intertechnologies

MOSFET 60V 4.7A 5.0W 120mohm @ 10V

pbFree: Pb-Free
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9407BDY-T1-GE3

Vishay Huntington

shipping today

9988
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9407BDY-T1-GE3

D# 43697116

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9407BDY-T1-GE3

Vishay Huntington

MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC

17946
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI9407BDY-T1-GE3

D# 2101454

Vishay Intertechnologies

MOSFET, P CH, 60V, 4.7A, 8SOIC

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
2568

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