Name: SI8809EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8809EDB-T2-E1
Availability: InStock
Rating: 5 (108 reviews)

SI8809EDB-T2-E1

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Numero di parte	SI8809EDB-T2-E1
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT
Scheda dati	SI8809EDB-T2-E1 Scheda dati
pacchetto	4-XFBGA
ECAD
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Specifiche SI8809EDB-T2-E1

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	4-XFBGA
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	-
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 1.5A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	4-Microfoot
Pacchetto / caso	4-XFBGA

Scheda tecnica SI8809EDB-T2-E1

SI8809EDB-T2-E1 Packaging

SI8809EDB-T2-E1 FAQ

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3. Are the SI8809EDB-T2-E1 price and inventory displayed accurate?

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6. What is the process for return or replacement of SI8809EDB-T2-E1?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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