Name: SI8808DB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8808DB-T2-E1
Availability: InStock
Rating: 5 (131 reviews)

SI8808DB-T2-E1

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Numero di parte	SI8808DB-T2-E1
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 30V MICROFOOT
Scheda dati	SI8808DB-T2-E1 Scheda dati
pacchetto	4-UFBGA
ECAD
A magazzino	36.000 piece(s)
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Specifiche SI8808DB-T2-E1

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	4-UFBGA
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	-
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	330pF @ 15V
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	95 mOhm @ 1A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	4-Microfoot
Pacchetto / caso	4-UFBGA

Scheda tecnica SI8808DB-T2-E1

SI8808DB-T2-E1 Packaging

SI8808DB-T2-E1 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that SI8808DB-T2-E1 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the SI8808DB-T2-E1 price and inventory displayed accurate?

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5. How is the shipping arranged?

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6. What is the process for return or replacement of SI8808DB-T2-E1?

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SI8808DB-T2-E1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as SI8808DB-T2-E1 pin diagram, SI8808DB-T2-E1 datasheet?

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SI8808DB-T2-E1

D# V72:2272_09216536

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 4-Pin Micro Foot T/R

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

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SI8808DB-T2-E1

D# SI8808DB-T2-E1

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 4-Pin Micro Foot T/R - Tape and Reel (Alt: SI8808DB-T2-E1)

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

SI8808DB-T2-E1

D# SI8808DB-T2-E1

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 4-Pin Micro Foot T/R (Alt: SI8808DB-T2-E1)

Numero di parte

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SI8808DB-T2-E1

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V MICROFOOT

12000

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SI8808DB-T2-E1

Vishay Intertechnologies

N-Channel 30V 900mV @ 250uA 95mohms @ 1A,4.5V 500mW BGA-4 MOSFET RoHS

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Produttore

Descrizione

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SI8808DBT2E1

Vishay Intertechnologies

Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

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SI8808DB-T2-E1

D# SI8808DB-T2-E1CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT

29335

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Descrizione

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SI8808DB-T2-E1

Vishay Intertechnologies

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2193

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Vishay Intertechnologies

RoHS: Compliant

pbFree: Yes

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VISHAY SILICONIX

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

28560

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SI8808DB-T2-E1

Vishay Intertechnologies

OEM/CM Immediate delivery

2193

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SI8808DB-T2-E1

D# 78-SI8808DB-T2-E1

Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

RoHS: Compliant

6765

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SI8808DB-T2-E1.

D# 28AC2185

Vishay Intertechnologies

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:2.5A, On Resistance Rds(on):0.071ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:900mV RoHS Compliant: No

RoHS: Not Compliant

Min Qty: 3000

Container: TAPE & REEL - FULL

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SI8808DB-T2-E1

D# NS-SI8808DB-T2-E1

Vishay Siliconix

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9408

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Vishay Intertechnologies

OEM/CM ONLY

7950

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2208

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SI8808DB-T2-E1

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MOSFET 30V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

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Vishay Huntington

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SI8808DB-T2-E1

D# 50951617

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 4-Pin Micro Foot T/R

RoHS: Compliant

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