Name: SI8497DB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8497DB-T2-E1
Availability: InStock
Rating: 5 (146 reviews)

SI8497DB-T2-E1

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Numero di parte	SI8497DB-T2-E1
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 13A MICROFOOT
Scheda dati	SI8497DB-T2-E1 Scheda dati
pacchetto	6-UFBGA
ECAD
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Specifiche SI8497DB-T2-E1

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	6-UFBGA
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	13A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	49nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1320pF @ 15V
Vgs (massimo)	±12V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	53 mOhm @ 1.5A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-microfoot
Pacchetto / caso	6-UFBGA

Scheda tecnica SI8497DB-T2-E1

SI8497DB-T2-E1 Packaging

SI8497DB-T2-E1 FAQ

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3. Are the SI8497DB-T2-E1 price and inventory displayed accurate?

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SI8497DB-T2-E1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as SI8497DB-T2-E1 pin diagram, SI8497DB-T2-E1 datasheet?

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SI8497DB-T2-E1

D# V72:2272_09216577

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Trans MOSFET P-CH 30V 13A 6-Pin Micro Foot T/R

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D# SI8497DB-T2-E1

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 6-Pin Micro Foot T/R - Tape and Reel (Alt: SI8497DB-T2-E1)

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3000

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MOSFET P-CH 30V 13A MICROFOOT

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Vishay Siliconix

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Vishay Intertechnologies

OEM/CM ONLY

3016

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Vishay Intertechnologies

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