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SI7998DP-T1-GE3

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SI7998DP-T1-GE3

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Numero di parte SI7998DP-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
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SI7998DP-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto PowerPAK? SO-8 Dual
ECAD
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Specifiche SI7998DP-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchettoPowerPAK? SO-8 Dual
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C25A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.3 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1100pF @ 15V
Potenza - Max22W, 40W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoPowerPAK? SO-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK? SO-8 Dual

Scheda tecnica SI7998DP-T1-GE3

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Trans MOSFET N-CH 30V 15A/21A 8-Pin PowerPAK SO T/R

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Trans MOSFET Array N-CH 30V 15A/21A 8-Pin PowerPAK SO - Tape and Reel (Alt: SI7998DP-T1-GE3)

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Trans MOSFET Array N-CH 30V 15A/21A 8-Pin PowerPAK SO (Alt: SI7998DP-T1-GE3)

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Dual N-Channel 30 V 0.0093 Ohm 40 W Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8

RoHS: Compliant
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MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

RoHS: Compliant
5890
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D# XSFP00000136455

Vishay Siliconix

Dual N-Channel 30 V 0.0093 Ohm 40 W Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8

6000
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D# 30AC0209

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Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:25A, On Resistance Rds(on):0.0044ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.5V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
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MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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