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SI7983DP-T1-E3

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Numero di parte SI7983DP-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8
Scheda dati

SI7983DP-T1-E3 Scheda dati

pacchetto PowerPAK? SO-8 Dual
ECAD
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Specifiche SI7983DP-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchettoPowerPAK? SO-8 Dual
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs17 mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 600µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs74nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.4W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoPowerPAK? SO-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK? SO-8 Dual

Scheda tecnica SI7983DP-T1-E3

SI7983DP-T1-E3 Packaging

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Packing
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  • 3. Are the SI7983DP-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI7983DP-T1-E3?
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