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SI7980DP-T1-E3

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Numero di parte SI7980DP-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
Scheda dati

SI7980DP-T1-E3 Scheda dati

pacchetto PowerPAK? SO-8 Dual
ECAD
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Specifiche SI7980DP-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchettoPowerPAK? SO-8 Dual
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FETStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs22 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1010pF @ 10V
Potenza - Max19.8W, 21.9W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoPowerPAK? SO-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK? SO-8 Dual

Scheda tecnica SI7980DP-T1-E3

SI7980DP-T1-E3 Packaging

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SI7980DP-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI7980DP-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI7980DP-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI7980DP-T1-E3?
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