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SI7964DP-T1-E3

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SI7964DP-T1-E3

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Numero di parte SI7964DP-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
Scheda dati

SI7964DP-T1-E3 Scheda dati

pacchetto PowerPAK? SO-8 Dual
ECAD
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Specifiche SI7964DP-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchettoPowerPAK? SO-8 Dual
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs23 mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs65nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.4W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoPowerPAK? SO-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK? SO-8 Dual

Scheda tecnica SI7964DP-T1-E3

SI7964DP-T1-E3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI7964DP-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI7964DP-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI7964DP-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI7964DP-T1-E3?
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D# V36:1790_14141465

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerPAK SO T/R

RoHS: Compliant
0
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Vishay Siliconix

MOSFET, DUAL N CHANNEL, 60V, 6.1A, POWERPAK SO-8, Transistor Polarity:Dual N Channel, Continuous Drain Current Id:6.1A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):0.019ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, No. of Pins:8 , RoHS Compliant: Yes

240
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# SI7964DP-T1-E3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

0
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D# 2335089

Vishay Intertechnologies

MOSFET, DUAL N CH, 60V, 6.1A, POWERPAK

RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel
0
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9072
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