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SI7960DP-T1-GE3

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SI7960DP-T1-GE3

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Numero di parte SI7960DP-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Scheda dati

SI7960DP-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto PowerPAK? SO-8 Dual
ECAD
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Specifiche SI7960DP-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchettoPowerPAK? SO-8 Dual
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs21 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs75nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.4W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoPowerPAK? SO-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK? SO-8 Dual

Scheda tecnica SI7960DP-T1-GE3

SI7960DP-T1-GE3 Packaging

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Packing
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SI7960DP-T1-GE3 FAQ

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  • 3. Are the SI7960DP-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI7960DP-T1-GE3?
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