Name: SI7960DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7960DP-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (125 reviews)

SI7960DP-T1-GE3

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Numero di parte	SI7960DP-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Scheda dati	SI7960DP-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	PowerPAK? SO-8 Dual
ECAD
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Specifiche SI7960DP-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	PowerPAK? SO-8 Dual
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	75nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potenza - Max	1.4W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	PowerPAK? SO-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK? SO-8 Dual

Scheda tecnica SI7960DP-T1-GE3

SI7960DP-T1-GE3 Packaging

SI7960DP-T1-GE3 FAQ

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3. Are the SI7960DP-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

6000

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D# SI7960DP-T1-GE3TR-ND

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MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

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SILICONIX (VISHAY)

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

991

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D# NS-SI7960DP-T1-GE3

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